氮化鎵作為第三代半導體材料,是5G時代的最大受益者之一,小米等不少品牌都推出了氮化鎵充電器。有機構預測,2020將會是氮化鎵充電器爆發(fā)年。近日海特高新(002023)因全球發(fā)布5G宏基站氮化鎵芯片制造解決方案,引來機構密集調研,而星徽精密(300464)也與小米一同入股世界上第一家氮化鎵功率IC公司納微半導體,不僅可以借此獲得大量訂單,還可以增強在充電芯片領域的先進技術儲備,鞏固旗下品牌在全球消費電子產品配件領域的領導地位。

2020年2月13日,小米通過線上直播的形式,面向百萬觀眾,正式發(fā)布了小米10Pro系列手機以及部分配件產品。其中,小米65W氮化鎵充電器成為一大重要亮點。

小米65W GaN充電器Type-C 65W的核心器件采用的是納微半導體的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC。GaNFast功率IC使用氮化鎵(GaN),這是一種新的半導體材料,其運行速度比以前的硅(Si)電源芯片快100倍,因此僅需45分鐘即可對小米10 Pro 進行0至100%的充電。使用GaNFast技術,小米65W GaN充電器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm(53 cc),是標準適配器尺寸的一半。

巨頭,如德州儀器,恩智浦,臺積電,都有在氮化鎵芯片上有大投入。Navitas的Navitas GaNFast? 電源IC可以為移動、消費、企業(yè)和新能源市場提供體積更小、能效更高、成本更低的電源。

GaN將以其功率水平和高頻性能成為 5G 的關鍵技術。5G將帶來半導體材料革命性的變化,因為對5G的嚴格要求不僅體現在宏觀上帶來基站密度致密化,還要求在器件級別上實現功率密度的增強。特別是隨著通訊頻段向高頻遷移,基站和通信設備需要支持高頻性能的射頻器件。雖然許多其它化合物半導體和工藝也將在5G發(fā)展中發(fā)揮重要作用,但GaN 的優(yōu)勢將逐步凸顯。

中信證券近日發(fā)布研報表示,目前國內已有多家廠商布局GaN快充,預計隨著用戶對便攜性的需求提高,2025年全球GaN快充市場規(guī)模有望600多億元,同時加速GaN芯片在其他新興領域對Si基產品的替代。

預計到2025年,GaN將主導射頻功率器件市場,搶占基于硅LDMOS技術的基站PA市場。

有機構表示,半導體第三代材料GaN氮化鎵應用將帶來三方面的受益機會:一是5G,未來全行業(yè)上下游都可能采用這一新材料;二是射頻,由于5G對射頻功率、耗能要求的提升,5G射頻領域將逐漸用氮化鎵取代硅基材料;三是快充產業(yè)鏈條供應商。

其中最常見的一個應用場景,莫過于是充電類/移動電源產品。這個市場,單單是安克創(chuàng)新2018年來自充電類產品的收入就多達33.21億,幾乎所有知名跨境電商大賣家如傲基、澤寶等,都有配置充電類產品線。

而澤寶正是星徽精密(300464)的全資子公司深圳市澤寶創(chuàng)新技術有限公司,出資682萬元取得美國納微半導體公司(NavitasSemiconductor,Inc,)0.07%的股權。

納微半導體不僅成功助力小米65W氮化鎵充電器上市,而且還獲得了小米的投資。通過資金注入,確立產業(yè)鏈上下游合作,同時兼顧投資和業(yè)務的雙重收益。通過此次合作,納微半導體也得以拓寬銷售渠道,成為氮化鎵快充行業(yè)的最大贏家。納微半導體除了進入小米快充供應鏈之外,還與Anker、AUKEY、Belkin、倍思、紫米、HYPER JUICE、Ravpower、SlimiQ等全球多家知名3C配件企業(yè)建立了良好的合作關系,并聯合開發(fā)出了數十款氮化鎵快充產品。

雖然只是小股東,但澤寶借此獲得大量訂單,同時也布局全球尖端技術,進行在充電芯片領域的先進技術儲備,有助于星徽精密鞏固旗下品牌在全球消費電子產品配件領域的領導地位,從品牌和技術研發(fā)兩端同時發(fā)力,做更長遠的布局。

在其它領域,也有上市公司打造了核心優(yōu)勢,如海特高新,其子公司海威華芯在中國率先提供六英吋砷化鎵(GaAs)集成電路的純晶圓代工(Foundry)服務;在第三代半導體(氮化鎵GaN)領域擁有國際領先、國內一流的技術;在全球氮化鎵芯片專利技術屬于一流梯隊。國金證券認為,海特高新作為第三代半導體國際領先者,氮化鎵芯片空間大。