隨著2014年有關(guān)部門頒布《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》，并設(shè)立國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金（大基金），半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)推進(jìn)至國家高度。大基金一期（2014.9~2018.5）已經(jīng)投資完畢，投資總額達(dá)到1,387億元，累計(jì)投資項(xiàng)目70余個(gè)，涉及公司52家。大基金二期于2019年10月22日成立，注冊資本2,041.5億元，根據(jù)此前有關(guān)報(bào)道，大基金二期將進(jìn)一步支持龍頭企業(yè)做大做強(qiáng)，提升成線能力，同時(shí)還將此續(xù)推進(jìn)國產(chǎn)裝備材料的下游應(yīng)用。

功率半導(dǎo)體是大基金支持的重要領(lǐng)域之一。2016年2月，士蘭微公告與大基金共同投資建設(shè)8英吋芯片生產(chǎn)線，該項(xiàng)目于2017年6月正式投產(chǎn)，導(dǎo)入了高壓集成電路、高壓MOSFET、低壓MOSFET、肖特基管、IGBT等多個(gè)產(chǎn)品量產(chǎn)，2018年總計(jì)生產(chǎn)29.86萬片，2019上半年增長至17.6萬片。2019年8月，士蘭微公告與大基金共同追加投資，建設(shè)8吋線二期項(xiàng)目。項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，將新增高壓集成電路12萬片/年、功率半導(dǎo)體器件芯片26.4萬片/年、MEMS芯片4.8萬片/年，預(yù)計(jì)新增年銷售收入9.66億元，年利潤總額2.08億元。

大基金還撬動(dòng)多個(gè)省市成立區(qū)域集成電路產(chǎn)業(yè)基金，據(jù)統(tǒng)計(jì)，至2019年5月，各個(gè)地方集成電路基金累計(jì)規(guī)模已經(jīng)超過5,800億元。2017年12月，士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)計(jì)劃共同投資220億元，在廈門規(guī)劃建設(shè)兩條12吋90~65nm的特色工藝芯片生產(chǎn)線和一條4/6吋兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線；前者包括硅基功率半導(dǎo)體芯片和MEMS傳感器芯片，后者定位在高端LED芯片、第三代功率半導(dǎo)體器件和光電模塊。目前，12吋線廠房已結(jié)頂，正在進(jìn)行凈化廠房裝修和機(jī)電設(shè)備安裝，預(yù)計(jì)今年四季度進(jìn)入試生產(chǎn)階段；后者已經(jīng)在2019年四季度開始進(jìn)入試生產(chǎn)。

2019年10月8日，工信部在答復(fù)政協(xié)十三屆全國委員會(huì)民進(jìn)9組的《關(guān)于加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的提案》表示：“工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約我國新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進(jìn)而影響國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展”。

工信部表示，近年來先后推出多項(xiàng)政策推動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)：一是于2017年推出“工業(yè)強(qiáng)基IGBT器件一條龍應(yīng)用計(jì)劃”，針對新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域，重點(diǎn)支持IGBT設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。二是指導(dǎo)湖南省建立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。三是指導(dǎo)中國寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導(dǎo)我國IGBT行業(yè)技術(shù)升級，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。