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打破國外技術壟斷,摩得半導體全新氮化鎵芯片斬獲高交會“優(yōu)秀產品獎”

作者: 編輯 來源:互聯(lián)網 發(fā)布時間:2022-01-10

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近日,由商務部、科技部、工信部、發(fā)改委、農業(yè)農村部、國家知識產權局、中國科學院、中國工程院等部委和深圳市人民政府共同舉辦的第二十三屆中國國際高新技術成果交易會(簡稱“高交會”)在深圳會展中心閉幕。

(2021年高交會現(xiàn)場)

有著“中國科技第一展”美譽的高交會歷來都是我國展示科技創(chuàng)新力量的前沿陣地。本屆高交會以“推動高質量發(fā)展,構建新發(fā)展格局”為主題,在超過15.7萬平方米的展示面積里,集中展示了新一代信息技術、新能源、新材料、機器人、航空航天、智能裝備等前沿技術創(chuàng)新領域。其中不乏中興、華為、榮耀終端、信立泰、大族激光等跨國巨頭的身影。

(深圳天使母基金展位)

值得注意的是,在本屆高交會參展的3354家企業(yè)或單位中,有部分是極具前瞻性科技布局的創(chuàng)業(yè)企業(yè)。例如在深圳天使母基金層層選拔中脫穎而出的摩得半導體,不僅在展會上備受矚目,其研發(fā)的高耐壓氮化鎵GaN設計工藝更是一舉斬獲了第二十三屆中國國際高新技術成果交易會“優(yōu)秀產品獎”。

據(jù)悉,從事第三代功率半導體研發(fā)設計業(yè)務的摩得半導體,其核心成員多來自臺積電、中芯國際、高通、博通等知名半導體公司,整個研發(fā)團隊在芯片設計以及晶圓制造方面積累了豐富的經驗,他們兼具了多架構IC設計以及氮化鎵制造生產的實力,同時還可以熟練改進工藝制程。這樣的研發(fā)團隊,在國內整個業(yè)界是非常罕見的。

(摩得半導體展示的優(yōu)秀產品)

正是有了強大的研發(fā)團隊,摩得半導體在科技創(chuàng)新方面有著得天獨厚的優(yōu)勢。在本屆高交會上,摩得半導體展示出的優(yōu)秀產品,包括氮化鎵晶6寸晶圓、MPW MASK 光罩等一系列科技創(chuàng)新成果,受到了到場領導、投資人、媒體以及觀眾的一致好評。許多投資人和不同領域的客戶在了解到摩得半導體在氮化鎵材料上的諸多優(yōu)勢后,現(xiàn)場表示希望可以和摩得半導體在移動電源等多個領域展開合作以及商業(yè)探索。

  (摩得半導體展臺)

尤其是在第三代半導體高擊穿功率器件領域,摩得半導體的研發(fā)團隊更是打破了國外的長期技術壟斷。其自主研發(fā)的三款面對不同領域的氮化鎵電源芯片產品中,已經有部分產品開展了性能測試與可靠性驗證。由于氮化鎵比硅禁帶寬度大3倍、飽和電子遷移速度大3倍、耐高溫等特性,氮化鎵器件在消費電子、IDC、電動車、工業(yè)等領域有非常多的用途。

展示“十三五”科技成果、響應“十四五”戰(zhàn)略規(guī)劃是本屆高交會的重點之一。圍繞“十三五”期間取得的重大成果以及“十四五”規(guī)劃中的重大政策、重大工程和重大項目,本屆高交會著重展示了科技前沿領域的最新科研成果和先進技術。摩得半導體作為國內優(yōu)秀的第三代功率半導體研發(fā)設計企業(yè),其展示出的成果不僅打破國外壁壘,更將助力于國內芯片領域的發(fā)展,為國家“十四五”戰(zhàn)略規(guī)劃獻上一份力。

【責任編輯:程爾凡】
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