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未來會(huì)不會(huì)有3納米1納米的芯片???那1納米之后是什么?

作者: 編輯 來源:互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)布時(shí)間:2020-04-26

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原標(biāo)題:未來會(huì)不會(huì)有3納米1納米的芯片???那1納米之后是什么?

未來會(huì)不會(huì)有3納米1納米的芯片???那1納米之后是什么?

既然要談芯片的未來,自然要看看芯片的現(xiàn)在。

芯片制程玩家三足鼎立:英特爾、三星、臺(tái)積電。大陸的中芯國(guó)際等還在追趕狀態(tài),不管是技術(shù)還是市場(chǎng)份額都還不足以抗衡三星、英特爾和臺(tái)積電,但希望未來可以實(shí)現(xiàn)超越。

目前,最先進(jìn)的芯片制程工藝是臺(tái)積電的7nmEUV,蘋果的A13處理器、華為的麒麟9905G處理器、高通驍龍865處理器都采用了臺(tái)積電的額7nmEUV工藝。

可以看到的短期未來:華為的麒麟1020處理器、蘋果的A14、高通的驍龍875芯片,將會(huì)采用臺(tái)積電的5nm制程工藝。

再遠(yuǎn)一點(diǎn)的未來:據(jù)傳3nm制程工藝,將會(huì)在明年(2021年)試產(chǎn),2022年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)(根據(jù)臺(tái)積電的消息,3nm工藝晶體管密度就是7nm的3.6倍。)。2nm技術(shù)預(yù)計(jì)2024年左右推出。注意,“試產(chǎn)”和“推出”都不是量產(chǎn)(商用)。

而1nm目前還沒有明確的時(shí)間點(diǎn)。主要遠(yuǎn)在在于及時(shí)到了掛點(diǎn),還需要突破。

1nm工藝,將會(huì)采用CFET結(jié)構(gòu),技術(shù)細(xì)節(jié)暫時(shí)未知。

因?yàn)榘凑漳柖桑?nm是很那突破的,2nm就是摩爾定律的極限。

1nm意味著要挑戰(zhàn)或者說要突破摩爾定律,難度可想而知。

目前的光刻機(jī)技術(shù)還支持不了2nm和1那么芯片的制作。

而至于1nm芯片之后是什么?目前也不得而知,智能猜測(cè)可能是量子計(jì)算、生物計(jì)算什么的。不管是啥,都將開創(chuàng)一個(gè)全新的領(lǐng)域,可以說地芯片制造的新紀(jì)元。

我們來看看網(wǎng)友的評(píng)論:

有網(wǎng)友說:“科技的發(fā)展必定帶來技術(shù)的突破,3納米、1納米芯片的出現(xiàn)是遲早的事,納米之后應(yīng)該還有皮米、飛米、阿米,不過這個(gè)過程有可能持續(xù)時(shí)間比較長(zhǎng),畢竟以目前的科學(xué)技術(shù)發(fā)展來看,只有革命興的突破才可能實(shí)現(xiàn),我們還需要技術(shù)的積淀才行?!?/p>

也有網(wǎng)友認(rèn)為:“原子直徑在0.1nm這個(gè)量級(jí),間距做到十個(gè)原子就是極限了,最多也就做到1nm,還得看實(shí)測(cè)的效果,一定的穩(wěn)定性可靠性下,可能2nm就到極限了?!币簿褪钦f1nm很難再突破了。

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